GaAs中の電子の移動度 $\mu$ が $8500 \text{ cm}^2/\text{Vs}$、電子密度 $n$ が $1.0 \times 10^{15} \text{ cm}^{-3}$、電子の有効質量 $m_e^*$ が $6.1 \times 10^{-32} \text{ kg}$ であるとき、電子の緩和時間 $\tau$ と抵抗率 $\rho$ を求める問題です。

応用数学物理電子工学移動度抵抗率半導体
2025/6/2

1. 問題の内容

GaAs中の電子の移動度 μ\mu8500 cm2/Vs8500 \text{ cm}^2/\text{Vs}、電子密度 nn1.0×1015 cm31.0 \times 10^{15} \text{ cm}^{-3}、電子の有効質量 mem_e^*6.1×1032 kg6.1 \times 10^{-32} \text{ kg} であるとき、電子の緩和時間 τ\tau と抵抗率 ρ\rho を求める問題です。

2. 解き方の手順

(1) 緩和時間 τ\tau の計算
緩和時間 τ\tau は、移動度 μ\mu と有効質量 mem_e^* を用いて以下の式で求められます。
μ=eτme\mu = \frac{e \tau}{m_e^*}
ここで、ee は電気素量であり、e=1.602×1019 Ce = 1.602 \times 10^{-19} \text{ C} です。
上式を変形すると、
τ=μmee\tau = \frac{\mu m_e^*}{e}
単位をSI単位系に変換します。
μ=8500 cm2/Vs=8500×(102 m)2/Vs=0.85 m2/Vs\mu = 8500 \text{ cm}^2/\text{Vs} = 8500 \times (10^{-2} \text{ m})^2 / \text{Vs} = 0.85 \text{ m}^2/\text{Vs}
τ=0.85 m2/Vs×6.1×1032 kg1.602×1019 C\tau = \frac{0.85 \text{ m}^2/\text{Vs} \times 6.1 \times 10^{-32} \text{ kg}}{1.602 \times 10^{-19} \text{ C}}
τ3.24×1013 s\tau \approx 3.24 \times 10^{-13} \text{ s}
(2) 抵抗率 ρ\rho の計算
抵抗率 ρ\rho は、電子密度 nn と移動度 μ\mu を用いて以下の式で求められます。
ρ=1neμ\rho = \frac{1}{n e \mu}
電子密度 nn をSI単位系に変換します。
n=1.0×1015 cm3=1.0×1015×(102 m)3=1.0×1021 m3n = 1.0 \times 10^{15} \text{ cm}^{-3} = 1.0 \times 10^{15} \times (10^2 \text{ m})^3 = 1.0 \times 10^{21} \text{ m}^{-3}
ρ=11.0×1021 m3×1.602×1019 C×0.85 m2/Vs\rho = \frac{1}{1.0 \times 10^{21} \text{ m}^{-3} \times 1.602 \times 10^{-19} \text{ C} \times 0.85 \text{ m}^2/\text{Vs}}
ρ0.00734 Ωm\rho \approx 0.00734 \ \Omega \cdot \text{m}

3. 最終的な答え

緩和時間 τ\tau3.24×1013 秒3.24 \times 10^{-13} \text{ 秒} です。
抵抗率 ρ\rho0.00734 Ωm0.00734 \ \Omega \cdot \text{m} です。

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